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5月，兰德公司发布《如何预测中国光刻技术的飞跃》（How to Forecast China’s Lithography Leap）研究报告，核心目的是对比德尔菲专家预测法与兰德众包预测平台两种方式，评估美国出口管制背景下，中国实现高端光刻设备本土化量产的可能性。

研究设定两大核心预测问题：一是2026年前中国能否量产每小时产能140片以上的商业级深紫外（DUV）光刻机；二是2030年前中国能否量产每小时产能90片以上的商业级极紫外（EUV）光刻机。

报告梳理了两种方法的预测结果与关键影响因素，分析方法差异并提出研究及政策建议，为半导体领域地缘竞争决策提供参考。

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一、研究背景   光刻技术是半导体制造的核心环节，直接决定芯片性能，已成为中美科技竞争的关键领域。2022~2025年，美国联合荷兰、日本出台多轮出口管制措施，逐步限制对华出口DUV、EUV光刻机及相关技术、材料与软件，遏制中国高端半导体制造能力发展。

报告指出，中国以上海微电子装备公司为核心推进光刻技术本土化，已研发DUV原型机，但尚未实现量产；EUV技术则完全依赖外部供应，暂无自研设备。本次研究聚焦中国在管制下的技术突破潜力，同时探究两种预测方法在复杂科技议题中的应用价值。

二、德尔菲专家预测   研究选取6名半导体和中国科技政策领域的专家，采用德尔菲法开展预测，经三轮匿名研讨与反馈修正后形成结论：中国2026年量产目标DUV光刻机的概率仅25%，2030年量产目标EUV光刻机的概率仅10%。专家认为，时间不足是中国突破的首要阻碍，其次是技术壁垒，DUV光刻机需复刻完整供应链，而EUV光刻机更是ASML公司耗时20余年才攻克的复杂技术。

同时，美国出口管制切断关键零部件与核心技术获取渠道，进一步加剧研发量产难度。专家提及的有利因素仅包括中国政策强力支持、资金投入充足及部分海外人才回流，但这些因素不足以抵消核心阻碍。

三、众包平台预测   兰德旗下“兰德预测倡议”平台开展为期五周的众包预测，80名跨领域非专业参与者得出结果：中国2026年量产目标DUV光刻机概率为37%，2030年量产目标EUV光刻机概率达45%。众包参与者认为，中国的国家战略投入、大规模资金支持、持续人才吸引是技术突破的关键支撑。

此外，中国在其他高科技领域的追赶经验、对海外知识产权的获取能力，也为光刻技术攻关提供助力。参与者同样承认技术难度高、供应链受限等现实因素，但认为在长期政策驱动下，中国具备逐步突破的可能性。

四、方法对比   两种预测方法结果呈现较大差异，主要源于三方面因素。一是预测周期不同：专家仅用1天完成三轮研讨，众包参与者拥有5周时间持续更新信息、修正判断；二是认知偏差差异：专家易受专业背景影响产生过度自信，低估非技术因素的作用，而众包参与者经专业预测训练，更注重概率校准；三是关注角度不同：专家侧重技术可行性分析，众包参与者兼顾政策执行力与产业追赶规律。

值得注意的是，双方在同一点上达成共识，即技术壁垒与美国出口管制是阻碍中国光刻技术突破的决定性因素。

五、研究结论与建议   在现有出口管制下，中国短期（2026年）量产高端DUV光刻机的概率偏低，长期（2030年）攻克EUV技术的难度极大。

德尔菲法在短期技术预测中精准度更高，众包预测法则在长期复杂议题中更具参考价值。

在研究方法层面，报告建议延长众包预测周期至问题落地、为专家与众包参与者提供专业预测培训、融合两种方法提升预测可靠性。在政策制定层面，报告建议美国扩大半导体研发投入、强化盟友协同管制、扶持本土半导体制造、完善人才培育与知识产权保护体系，以持续巩固美国半导体技术领先地位。